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  • CW32L010安全低功耗MCU,树立(lì)M0+产品行业新标杆(gǎn)!

    发(fā)布时间:2024-10-09 发布(bù)者:武汉雷竞技和芯源(yuán)半导体 内容来源:武(wǔ)汉雷竞技和芯源半导体有限公司

    2024年9月(yuè)26日(rì),武汉雷竞技和芯源半导体(tǐ)CW32L010系列产品正式官方发(fā)布。这(zhè)款产品以其卓越的产品性能,迅(xùn)速(sù)在业界引起(qǐ)了广(guǎng)泛关注(zhù),并成功树(shù)立M0+产品行业的新标杆。

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    CW32L010系(xì)列产品是基于(yú) eFlash 的单(dān)芯片低功(gōng)耗微控制器,集成了主频高达 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速(sù)嵌入式存储(chǔ)器(多(duō)至 64K 字节 FLASH 和多至 4K 字(zì)节 SRAM)以及一系列全(quán)面的(de)增(zēng)强(qiáng)型(xíng)外设和 I/O 口。

    内部框图

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    所有型号都(dōu)提供全套的通信接口(二路 UART、一路 SPI 和一(yī)路 I2C)、12 位高(gāo)速 ADC、四组(zǔ)通(tōng)用和基本定时器、一组低(dī)功耗定(dìng)时器以(yǐ)及一组高级控制 PWM 定(dìng)时器。

    CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的温度范围内(nèi)工作,供电电压宽达 1.62V ~ 5.5V。支(zhī)持 Sleep 和 DeepSleep两种低功耗工作模(mó)式CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的温度范围内工作,供电(diàn)电(diàn)压宽(kuān)达 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和DeepSleep两种低(dī)功耗工作模式。

    产品优(yōu)势



    1,64K超大(dà)Flash存储容量

    在微控制器(MCU)的众多特性中,eFlash存储容量(liàng)是最主要(yào)的关键参数之一。CW32L010系列产品存储(chǔ)容量最大 64K 字节 FLASH,数据保(bǎo)持 25 年 @-40℃ ~ +85℃,支持擦写保护、读保护(hù)和安全运行库保(bǎo)护功能(néng)。

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    确保高访问(wèn)速度(dù):可(kě)确保指令的(de)快速执行,满足实时性(xìng)要求高的应(yīng)用场景。

    易于升级迭代:在同等成本(běn)下,扩大存储(chǔ)容量,为用(yòng)户提供同级最(zuì)宽裕(yù)的程序和非易失存储空间,使得产品(pǐn)在(zài)面临功能升(shēng)级(jí)或(huò)迭代(dài)时(shí),能够(gòu)更加灵活地进行软件更(gèng)新和扩展。

    减(jiǎn)少EEPROM依(yī)赖:通过提供充足的非易失性存(cún)储,减少了对外部(bù)EEPROM的依赖,降(jiàng)低了系统成本和复杂性。

    耐用性更(gèng)高(gāo):Flash擦写寿命高达10,000次,符合标杆要求,确保(bǎo)了产品的(de)长期(qī)稳定运行。


    2、黑(hēi)客级(jí)代码安全防(fáng)护

    在微控制(zhì)器(qì)(MCU)领域(yù),保(bǎo)护用户的代码和(hé)知识(shí)产权至关重要。CW32L010系列(liè)MCU,以(yǐ)其(qí)创新的安全特性,为用户提供了一个坚(jiān)不可摧的代(dài)码保护解决(jué)方案。

    尽(jìn)管目前大多数(shù)MCU都支持多种安全等级,阻止(zhǐ)通过SWD/ISP接口(kǒu)读取Flash内容。但通过下载间谍程序(xù),用挟持内核的方式对Flash指令区(qū)做(zuò)数据访问一般都被允许。

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    CW32L010系列产品(pǐn)可以阻止这(zhè)个入侵,我们允许用户划定一块指令存储区域,只能(néng)通过指令总线取指令执(zhí)行,不允许通过数据总线访问数据。在(zài)这(zhè)个区(qū)域内(nèi),即使攻击者尝试通过下(xià)载间谍程序挟持内核,也无法(fǎ)访问这块被保护的存(cún)储区域。用户可以(yǐ)将包(bāo)含敏感算法和(hé)关键功能(néng)的代码库存储在该区域(yù),确保(bǎo)这些核心资产只能被调用,无法被复制或篡改。


    3、极限超低功耗0.3uA,85℃高温(wēn)漏电仅1.2uA

    超低功耗(hào)工作模式(shì)非常多,一般(bān)用户较(jiào)关注待机电流(常温/高温)、全速运(yùn)行电流等几(jǐ)个主要(yào)指标。

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    CW32L010采用特别(bié)工艺制程(chéng),将待机电流(liú)控(kòng)制(zhì)在0.3uA,高温待(dài)机电流是竞品平均水平的1/4~1/8。


    4、全新设计兼容G4相关IP的高级定时器(qì)

    高(gāo)级定时器通常用于三相PWM输出,经常需要与ADC紧密配合使用。我们全(quán)新设计了高级(jí)定(dìng)时器,在(zài)对(duì)G4相(xiàng)关IP兼容的(de)同时还增加了(le)部分特色功(gōng)能,例如PWM移相(xiàng)、多点比较等等,单个高级(jí)定时器支持多达6对互补PWM输出。

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    多种灵活(huó)的PWM移相模式(shì):在保持占空比不变的同时,可(kě)根据采样时机的需求调整PWM边沿位置(zhì)。

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    5、RTC补(bǔ)偿(cháng)精度是0.060ppm,支持(chí)亚秒级读数

    CW32L010在设计时对RTC补偿(cháng)机制进行了优化,可选择32,128,256秒为一个(gè)补偿周(zhōu)期,最精(jīng)细的(de)补偿精度可(kě)达到(dào)0.060ppm,支持亚秒级读数。

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    6、全面升级的低功耗串(chuàn)口,支持LIN、RS485硬件使能

    低功耗串口接收数(shù)据可灵活配置接口电平,可产(chǎn)生关键字中断和帧超时中断,支持LIN、RS485硬件使能、TXD和(hé)RXD互换及(jí)内(nèi)部回环功能、LSB/MSB硬件转换。

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    7、85℃ Latch Up测试(shì)成绩优(yōu)异,闩锁(suǒ)门限测试成绩高达±600mA

    在MCU的设(shè)计(jì)和应用中,静电放电(diàn)(ESD)的防护能力是(shì)衡量产品(pǐn)可靠性的(de)重要指(zhǐ)标之一。其中高温Latch Up(闩锁)测试可以说明一定问题,CW32L010在高温Latch Up(闩(shuān)锁)测试中表现出色(sè),闩锁门限测试(shì)成绩高达±600mA,远高(gāo)于行业一(yī)般水平,相(xiàng)比竞品一般(bān)水平为3~6倍。强大(dà)的(de)ESD防护能(néng)够保护MCU内部数据不受静电放电的影(yǐng)响以及在各种环(huán)境下的长期稳(wěn)定运行。

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    8、16路ADC输入2M采(cǎi)样(yàng)率,采样保持时间可独立配置

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    9、内部(bù)时钟源特性无惧挑(tiāo)剔


    在当前的电子市场,"低(dī)成本内卷(juàn)"已成为一个不可忽视的(de)现象。在这一(yī)背(bèi)景下,外置晶体的成(chéng)本优化变得尤为重要,这一指标考验(yàn)的是MCU内置RC时钟源的技(jì)术特性。CW32L010的内置时钟源,不论是HSI还是LSI,都大(dà)幅优(yōu)于竞品。

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    CW32L010系列产品基于华虹半导体最新的(de)90nm超(chāo)低漏电嵌入式闪存(cún)工(gōng)艺,极其出(chū)色的性能和(hé)更合理(lǐ)的价格定位(wèi),为用户(hù)带来了极具(jù)竞(jìng)争力的(de)选择,实现了高性能与低成本的完美结合(hé)。

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    CW32L010系列产品提(tí)供(gòng) QFN20、TSSOP20、SOP16 三种不同的封装形式,不同封装的产(chǎn)品所(suǒ)能(néng)实(shí)现的(de)功能有所不(bú)同,具体情况如(rú)下表所示:

    CW32L010 家族产品功能列(liè)表(biǎo)

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    CW32L010系列产(chǎn)品的发(fā)布,是武汉雷竞技和芯源半导体对市场需求的积极响应(yīng),也是公司持续创新和技(jì)术研发实力的展(zhǎn)现。随着这(zhè)款产品的正式上市,预计将推动公司业(yè)务的增长,并为合作伙伴和客户(hù)带来更多价值(zhí)。让(ràng)我们(men)共同期(qī)待CW32L010系列产品在未来的(de)精彩表(biǎo)现!同(tóng)时,我们也期待与(yǔ)您携(xié)手合作,共创更加美(měi)好(hǎo)的未来!

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